三星的HBM4產量已從60%提升至80%，超前預期，並將在2026年底前進一步擴大市場份額。

隨著科技需求不斷增加，三星電子（SSNLF）的高帶寬記憶體（HBM4）產量驚人地從生產初期的60%提高至約80%。根據《首爾經濟日報》的報導，這一成就遠超公司原定於2026年底實現的目標。行業訊息來源指出，此次產量提升主要得益於三星在熱壓非導電薄膜（TC-NCF）過程中的技術改進，以及用於HBM4的1c DRAM的更高產率。

展望未來，三星計劃在第三季度將HBM4收入提升三倍，並預測到2026年下半年，HBM4將佔總HBM銷售的60%以上。此外，三星的市場份額目標為38%，這意味著隨著產量穩定及生產擴張，公司有望強化其在高帶寬記憶體領域的競爭力。

值得注意的是，高產量的HBM4也可能支援NVIDIA下一代AI加速器Vera Rubin的生產，並為主要客戶提供更大的供應多樣性。同時，SK海力士(SKHY)也報導其HBM4產量達到80%，顯示出該領域的技術競爭愈演愈烈。在持續的技術創新和市場需求推動下，三星的未來似乎充滿潛力。

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