Navitas(NVTS)於周一宣布，已獲美國聯邦政府選中，將投入開發下一代碳化矽（SiC）技術。這項合作由美國陸軍透過「加速、大面積、10 kV SiC IGBT」（ALATTIS）計畫授予 Navitas(NVTS)。受此重大消息激勵，Navitas(NVTS)在盤後交易時段股價狂飆超過17%，引發市場高度關注。

奪美國陸軍計畫推動半導體國內製造

Navitas(NVTS)將參與一項關鍵專案，透過反覆的設計、製造與測試過程，協助美國建立超高壓碳化矽功率半導體元件的國內製造製程。這項合作不僅有助於強化美國本土的半導體供應鏈，也凸顯了該公司在先進材料技術領域的重要地位。

技術創新獲肯定確立碳化矽領先地位

Navitas(NVTS)高層 Siddarth Sundaresan 在聲明中表示，獲得 ALATTIS 計畫的肯定，是推進超高壓碳化矽功率元件發展的重大里程碑，同時也證明了公司在提供可靠、超高壓及高功率碳化矽技術方面，擁有超過20年的創新實力。

他進一步指出，這項計畫能讓 Navitas(NVTS)透過開發下一代 10 kV SiC IGBT，擴展其超越 SiC MOSFET 的領導地位。這項新技術將建立在公司獨家專利的溝槽輔助平面(TAP)架構上，並與先進的 PiN 二極體技術進行深度整合。

Navitas(NVTS)公司簡介與股價表現

Navitas Semiconductor Corp 致力於開發超高效的氮化鎵（GaN）半導體，為電力電子領域帶來革命性變革。其氮化鎵功率 IC 整合了電源、驅動、控制與保護功能，能為行動裝置、消費性電子、企業、電動車及新能源市場實現快速充電、高功率密度與節能。公司主要負責設計、開發、製造並行銷應用於行動裝置及其他市場的積體電路及相關零組件。就地理分布而言，業務涵蓋中國、歐洲、美國、亞洲其他地區等地，其中主要營收來自中國市場。

在最新交易日中，Navitas(NVTS)收盤價為11.73美元，下跌0.47美元，跌幅3.85%，成交量達20,558,555股，較前一交易日暴增107.67%。

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